碳化硅氧化炉 真空退火炉 高温扩散炉 晨立电子
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详情信息
主要技术指标：★可处理硅片尺寸：2—8英寸★外型形式：卧式1—4管结构★工作温度：200℃—1300℃★恒温区长度及精度：200mm—1100mm≤±0.5℃★单点温度稳定性、重复性：≤±0.5℃／24h★温度斜变：可控升温速率20℃／min，★可控降温速率：5℃／min★送片装置：全自动悬臂推拉舟、拉杆是推拉舟、手动推拉★气路系统：1—5路工艺气体／管★气体控制：全自动MFC、手动浮子流量计★控制方式：工控机、触摸屏